


光鼎電子推出ThermaFlat™ SiC MOSFET: RDS(on)溫度穩定度領先業界
光鼎 ThermaFlat™ 系列 SiC MOSFET在 -25°C 至 +125°C 的寬廣工作溫度範圍內,仍能維持極為穩定的 RDS(on)表現,同時兼顧低切換損失(Switching Loss)。

光鼎電子第7代IGBT新產品—電源系統提高效能與穩定性的絕佳方案
包含4款TO247-3Plus封裝的高效能離散式(Discrete)產品及2款與英飛凌EconoDUALTM3(ED3)封裝相容的半橋電路結構高功率模組(Power Module),為應用市場提供更高效能與穩定性的絕佳解決方案。
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光鼎電子推出ThermaFlat™ SiC MOSFET: RDS(on)溫度穩定度領先業界
光鼎 ThermaFlat™ 系列 SiC MOSFET在 -25°C 至 +125°C 的寬廣工作溫度範圍內,仍能維持極為穩定的 RDS(on)表現,同時兼顧低切換損失(Switching Loss)。

光鼎電子第7代IGBT新產品—電源系統提高效能與穩定性的絕佳方案
包含4款TO247-3Plus封裝的高效能離散式(Discrete)產品及2款與英飛凌EconoDUALTM3(ED3)封裝相容的半橋電路結構高功率模組(Power Module),為應用市場提供更高效能與穩定性的絕佳解決方案。
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