在材料方面以倒裝晶片搭配高導熱氮化鋁基板作封裝。氮化鋁（AIN）具有優異的導熱性（140W/mK-170W/ mK），能耐紫外線光源本身的老化，滿足UVC LED高熱管理的需求。由於UVC LED體積小的特點，大部分的熱量無法從表面散熱，因此LED背面成為了有效散熱的唯一途徑。此時，如何在封裝關節做好熱管理顯得尤為重要。封裝工藝方面採用金錫共晶焊主要通過助焊劑進行共晶焊接，能有效提升晶片與基板的結合強度，導熱率，更為可靠，有利於UVC LED的品質管控。光鼎不僅採用了共晶制程,還增加了共晶同時抽真空,充氮氣的功能，避免了共晶時高溫過程中可能發生的氧化以及最大降低空洞率，目前可以控制空洞率在3%以下。
