在材料方面以倒装晶片搭配高导热氮化铝基板作封装。 氮化铝（AIN）具有优异的导热性（140W/mK-170W/ mK），能耐紫外线光源本身的老化，满足UVC LED高热管理的需求。 由于UVC LED体积小的特点，大部分的热量无法从表面散热，因此LED背面成为了有效散热的唯一途径。此时，如何在封装关节做好热管理显得尤为重要。 封装工艺方面采用金锡共晶焊主要通过助焊剂进行共晶焊接，能有效提升晶片与基板的结合强度，导热率，更为可靠，有利于UVC LED的品质管控。 光鼎不仅采用了共晶制程,还增加了共晶同时抽真空,充氮气的功能，避免了共晶时高温过程中可能发生的氧化以及最大降低空洞率，目前可以控制空洞率在3%以下。
